“결국 일났다” 수조원 삼성 반도체 핵심기술로 中 ‘공장 세워’

삼성전자가 수조원을 투자해 독자적으로 개발한 반도체 핵심 공정기술이 전직 임원에 의해 유출되어 중국에서 새로운 반도체 제조업체를 설립하는 사건이 발생했다. 이 전직 임원은 이미 구속 상태에서 검찰에 송치됐다.

삼성전자가 막대한 자금을 쏟아부어 개발한 기술을 중국의 지방정부와 합작한 회사에서 불과 1년 만에 시범 제품 생산에 성공한 것이다. 경찰은 “경제안보의 근간을 뒤흔든 사안”이라면서 추가적 기술 유출이 있었는지 수사 중이다.

삼성전자 전직 임원들, 중국에서 반도체 기술 유출 혐의로 구속

서울경찰청 산업기술안보수사대는 삼성전자 상무이사 출신 최모(66) 씨와 전직 D램 메모리 수석연구원 오모(60) 씨를 구속 송치했다고 10일 발표했다.

두 사람은 현재 중국 청두에 위치한 반도체 제조업체 CHJS에서 각각 대표와 공정설계실장으로 재직 중이다.

최 씨는 중국 지방정부와 합작하여 CHJS를 설립하는 과정에서 국내 반도체 전문 인력을 대거 영입하고, 삼성전자의 메모리 반도체 핵심 기술을 무단으로 유출 및 부정 사용한 혐의를 받고 있다. 오 씨 또한 기술 유출 및 무단 사용에 핵심적인 역할을 해 산업기술보호법, 부정경쟁방지법 위반 및 업무상 배임 혐의가 적용되었다.

유출된 삼성전자 기술, 첨단 D램 제조의 핵심

최모 씨 등에 의해 중국으로 유출된 삼성전자의 기술은 18나노급 및 20나노급 D램 반도체 제조 기술로 밝혀졌다.

이 기술들은 각각 2조3천억원과 2조원의 거액이 투입된 결과물이다. 특히, 20나노급 D램 개발에는 2천명 이상의 인력이 참여했으며, 이 기술은 반도체 성능 향상에 있어 중요한 분기점을 제공하는 것으로 알려져 있다.

나노기술의 발달로 성능이 크게 향상되는 가운데, 20나노급 D램은 첨단 반도체 기술에서 중요한 위치를 차지하며 ‘첨단 반도체의 교과서’로 불리는 이유를 제공한다.

삼성전자는 현재 이 기술로 매년 약 2조4천억원의 매출을 내는 것으로 전해졌다.

유출된 삼성 기술로 청두가오전, 시범 웨이퍼 생산 성공

최모 씨 등은 반도체 생산의 모든 단계를 아우르는 핵심 정보인 반도체공정 종합절차서(PRS)와 최종 목표규격(MTS) 등을 삼성전자로부터 빼돌렸다.

이후 삼성의 반도체 공정 관련 중요 자료를 이용해 청두가오전의 D램 연구 및 제조 공장은 준공 후 1년 3개월 만인 2022년 4월에 시범 웨이퍼를 생산하는 데 성공했다.

시범 웨이퍼는 적용된 기술이 실제 반도체로서의 기능을 수행할 수 있는지를 확인하는 초기 개발 제품으로, 일반적으로 이 과정은 4∼5년이 걸릴 것으로 예상되나, 유출된 정보를 통해 대폭 단축한 것이다.

삼성전자 전 상무, 중국에서 반도체 회사 설립으로 큰 파장

삼성전자의 전 상무이자 하이닉스반도체(현 SK하이닉스)의 전 부사장이었던 최씨는 2020년 9월, 중국 지방정부로부터 자본금의 60%에 해당하는 4천600억원을 지원받아 반도체 회사 청두가오전을 설립했다.

최씨는 회사 설립 추진 단계에서부터 오씨를 포함한 국내 반도체 분야의 핵심 인력을 대거 영입해온 것으로 조사됐다.

청두가오전은 국내 기술 인력을 유치하기 위해 이직 시 최소 2∼3배의 연봉 인상과 현지 체재비, 자녀 교육비 등을 제공하겠다고 제안했으나, 이들은 2∼3년 후 장기 휴직 처리 등을 통해 사실상 해고되어 약속된 혜택을 받지 못하고 있는 것으로 드러났다.