삼성 450조 투자
메모리 반도체 확대
HBM 경쟁력 회복
삼성그룹이 향후 5년간 연구개발과 설비 투자를 포함해 총 450조원을 국내에 투자한다고 16일 밝혔다.
삼성전자는 최근 임시 경영위원회를 열고 반도체 생산 핵심 거점인 평택캠퍼스 2단지 5라인의 골조 공사를 추진하기로 결정했다.
평택사업장 2단지에 새롭게 조성되는 5라인은 2028년부터 본격 가동될 예정이다.
이를 통해 글로벌 AI 인프라 투자 확대에 따라 중장기적으로 예상되는 메모리 반도체 수요 증가에 대응할 수 있을 것으로 기대된다.
AI 인프라 확대로 HBM 수요 폭증
한국수출입은행 보고서에 따르면 HBM 시장은 2022년 27억 달러에서 2029년 377억 달러로 연평균 46% 성장할 것으로 전망된다.
엔비디아를 비롯한 AI 칩 제조사들의 GPU 생산량 증가는 HBM에 대한 수요를 더욱 가속화하고 있다.
AI 서버용 고대역폭메모리는 공급이 수요를 따라가지 못하는 품귀 현상을 빚고 있다.
SK하이닉스는 2025년까지의 HBM 물량을 이미 완판했으며, 2025년 말 차세대 제품 HBM4 출시를 통해 프리미엄 시장 주도권을 강화할 계획이다.
트렌드포스는 “HBM3E는 내년에도 수급이 타이트할 것”이라며 “HBM은 AI 수요 급증에 힘입어 D램 산업의 핵심 성장 동력으로 떠올랐다”고 분석했다.
또한 업계 관계자는 “현재 HBM 공급업체들은 풀 가동 상태지만 수요를 충족시키지 못하고 있다”고 전했다.
삼성전자 HBM3E 테스트 통과로 공급 확대 기반 마련
삼성전자가 5세대 고대역폭메모리 HBM3E 12단 제품의 엔비디아 품질 테스트를 통과하면서 본격적인 HBM 공급 확대가 가능해졌다.
지난해 2월 HBM3E 12단 개발을 완료한 지 1년6개월 만의 성과로, SK하이닉스와 마이크론에 이어 세 번째로 엔비디아에 HBM3E를 공급하게 됐다.
업계 관계자는 “삼성전자가 HBM3E 단계에서 신뢰를 확보한 만큼, 현재 진행 중인 HBM4 테스트도 예정보다 일찍 통과할 수 있을 것”이라고 전망했다.
평택 신규 라인으로 공급 능력 대폭 확대
삼성전자는 최근 임시 경영위원회를 열고 반도체 생산 핵심 거점인 평택캠퍼스 2단지 5라인의 골조 공사를 추진하기로 결정했다.
평택사업장 2단지에 새롭게 조성되는 5라인은 2028년부터 본격 가동될 예정이다. 이를 통해 글로벌 AI 인프라 투자 확대에 따라 중장기적으로 예상되는 메모리 반도체 수요 증가에 대응할 수 있을 것으로 기대된다.
업계에서는 평택 5라인이 HBM 생산에 최적화된 시설로 구축될 것으로 보고 있다.
지역 균형 발전을 위한 비수도권 지역 투자도 전방위적으로 확대한다.
삼성SDS는 전남에 대규모 AI데이터센터를 건립하며, 2028년까지 1만5천장 규모의 GPU를 확보해 학계와 스타트업, 중소기업 등에 공급할 예정이다.
삼성전자는 11월 초 인수 완료한 플랙트그룹의 한국 생산라인 건립을 통해 AI데이터센터 시장을 집중 공략한다.
삼성SDI는 전고체 배터리 등 차세대 배터리의 국내 생산 거점 구축을 추진 중이며, 유력한 후보지로 울산 사업장을 검토하고 있다.
HBM4 시장에서 3사 경쟁 본격화
2026년부터 본격화할 HBM4 시장에서는 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론의 3사 경쟁 구도가 한층 더 치열해질 전망이다.
엔비디아는 HBM4에 최소 9Gbps, 사실상 10Gbps 이상 속도를 요구하고 있으며, 삼성전자는 10Gbps 이상의 속도를 구현할 수 있는 것으로 알려졌다.
삼성전자의 450조원 투자는 향후 HBM4 시장 주도권 확보를 위한 선제적 대응으로 해석된다.
