하이닉스·마이크론 앞서 나가는데 “삼성전자에 무슨 일이”…이례적 결정에 ‘난리’

차세대 D램 경쟁 격화,
삼성전자의 점유율 하락 중
삼성전자 HBM4 재설계에 무슨 일이

“삼성전자가 HBM4 설계를 다시 해야 한다고? 괜찮은 거야?”

삼성전자가 차세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM4의 핵심이 될 10나노급 6세대(1c) D램의 설계를 전면 수정하고 있다는 소식이 전해지면서 시장의 긴장감이 커지고 있다.

불과 4개월 전, 삼성전자가 HBM4 개발에 속도를 내고 있다는 소식에 기대감이 높아졌지만, 이제는 정반대의 분위기가 형성되고 있다.

마이크론은 지난 26일 1c 공정 기반의 DDR5 샘플을 인텔, AMD 등 주요 고객사에 출하했다고 발표했다.

SK하이닉스도 1c 공정의 DDR5 D램 개발을 완료하고 양산을 준비하고 있다.

삼성전자가 HBM4의 핵심 기술인 1c D램의 설계를 재조정하는 사이, 경쟁사들은 한발 앞서 나가고 있다.

반도체 업계 관계자들은 이번 재설계가 삼성전자의 기술적 난항을 보여주는 신호일 수 있다고 분석한다.

D램 설계를 전면 수정하는 데는 상당한 시간이 필요하며, 회로를 다시 설계하고 마스크 등 필수 부품을 재조정하는 과정이 뒤따른다.

이러한 상황에서 경쟁사들이 빠르게 시장을 선점한다면 삼성전자는 더욱 불리한 위치에 놓일 수 있다.

점유율 빼앗기고 추격 당하는 삼성전자

HBM4는 인공지능(AI) 반도체 시대의 핵심 기술로 꼽히며, 특히 데이터센터와 고성능 컴퓨팅(HPC) 분야에서 수요가 폭발적으로 증가하고 있다.

실제로 삼성전자는 HBM3E 시장에서도 SK하이닉스에 밀려 점유율을 빼앗긴 상태다.

4분기 삼성전자의 D램 시장 점유율은 39.3%로, 전 분기의 41.1%에서 하락했다. 같은 기간 SK하이닉스는 34.4%에서 36.6%로 상승하며 삼성과의 격차를 좁혔다.

여기에 1c D램 재설계로 인한 일정 지연이 불가피해지면서 삼성전자가 HBM4 시장을 장악할 수 있을지 불확실성이 커지고 있다.

반면, SK하이닉스는 1b D램을 활용한 HBM4 개발을 차질 없이 진행하고 있으며, 마이크론도 EUV 공정을 적용한 1c D램을 앞세워 시장 공략에 박차를 가하고 있다.

전문가들은 삼성전자가 HBM4의 성능과 안정성을 높이는 데 집중하고 있지만, 시간이 관건이라고 평가한다.

한 반도체 업계 관계자는 “HBM4가 AI 시장에서 중요한 역할을 하게 될 것이라는 점에는 이견이 없다”면서도 “삼성전자가 경쟁사들과의 격차를 좁히지 못하면 시장에서의 영향력이 약해질 수도 있다”고 말했다.

업계의 관심이 삼성전자의 향후 행보에 집중되는 가운데, HBM4의 최종 성능과 시장 출시 시점이 반도체 경쟁의 향방을 결정할 핵심 변수가 될 전망이다.