삼성전자가 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 양산 출하를 완료하자마자, 차세대 제품인 7세대 ‘HBM4E’의 구체적인 로드맵을 전격 공개하며 메모리 반도체 시장 주도권 탈환에 시동을 걸었다. 과거 HBM 시장 진입 지연으로 경쟁사에 밀렸던 실수를 반복하지 않기 위해, 이번에는 차세대 제품 준비를 동시에 진행하는 ‘선제 공격’ 전략을 선택한 것으로 분석된다.
삼성전자는 13일 HBM4 양산 출하 발표와 함께 “올 하반기 HBM4E 샘플 출하를 시작하고, 2027년부터 본격 양산에 돌입한다”고 밝혔다. HBM4E는 HBM4의 기본 구조를 유지하면서 동작 속도와 전력 효율을 한층 끌어올린 제품이다. 업계에서는 HBM4가 이미 3.3TB/s(초당 테라바이트) 대역폭을 달성한 만큼, HBM4E는 4.0TB/s 이상의 성능을 겨냥할 것으로 전망하고 있다. 이는 5GB 용량의 고화질 영화를 1초에 800편 내려받을 수 있는 수준이다.
최선단 공정으로 ‘속도’ 우위 확보
삼성전자의 핵심 전략은 최선단 공정 기술을 기반으로 한 압도적인 데이터 전송 속도 확보다. HBM4에는 10나노급 6세대(1c) D램 공정과 4나노 파운드리 공정이 적용됐으며, 기본 동작 속도는 11.7Gbps로 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 표준 8Gbps 대비 46% 빠르다. 최대 13Gbps까지 구현 가능해 전작 HBM3E(최대 9.6Gbps) 대비 약 1.22배 향상된 성능을 보인다.
황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 “공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보했다”며 “고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있다”고 강조했다. 실제로 2026년 1월 엔비디아가 삼성과 SK하이닉스에 HBM4 납품 기준을 재상향 조정해 전달한 것으로 알려지면서, 삼성의 선제적 기술 개발이 주효했다는 평가가 나온다.
‘3사 경쟁’ 본격화… 차별화 전략 맞대결
6세대 이후 HBM 시장에서 글로벌 메모리 3사의 경쟁은 더욱 치열해질 전망이다. 업계에서는 각 사의 전략을 ‘속도의 삼성전자’, ‘물량의 SK하이닉스’, ‘효율의 마이크론’으로 요약한다.
삼성전자는 미세 공정 경쟁력과 파운드리 역량을 결합해 시장 선점을 노리고 있다. SK하이닉스는 HBM 시장 점유율 1위 위상을 바탕으로 안정적 양산 체제와 압도적 공급 물량으로 수성에 나섰다. 미국 마이크론은 저전력 HBM 설계를 통한 전성비(전력 대비 성능) 효율을 강조하며 틈새시장 공략에 집중하고 있다. SK하이닉스도 동시기 HBM4 생산 계획을 발표하며 기술·공급 경쟁이 대등 국면으로 접어들고 있다.
2026년 매출 3배 목표… ‘초격차’ 전략 복귀 신호
삼성전자는 2026년 HBM 매출이 2025년 대비 3배 이상 증가할 것으로 전망하고 있다. 엔비디아를 비롯한 빅테크 기업들의 AI 가속기 출시 속도가 빨라지면서 고성능 HBM 수요가 급증하고 있기 때문이다. 삼성전자는 “HBM4 양산 과정에서 확보한 품질과 공급 안정성이 향후 HBM4E 및 맞춤형 HBM 등 고부가 제품 전환 과정에서도 중요한 경쟁 요소가 될 것”이라고 밝혔다.
반도체 업계 관계자는 “삼성전자가 HBM4E 로드맵을 서둘러 공개한 것은 단순 기술 과시를 넘어 미래 수주 경쟁에서 확실한 우위를 점하겠다는 신호”라며 “HBM4 이후 시장까지 준비를 마친 삼성의 공세에 경쟁사들이 어떻게 대응할지가 올해 반도체 시장의 최대 관전 포인트”라고 분석했다. 2028년부터 가동될 평택사업장 2단지 5라인이 HBM 생산 핵심 거점으로 부상하면서, 삼성의 ‘초격차’ 전략이 본격화될 것으로 시장은 관측하고 있다.
